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材料学院青年教师刘新科博士在氮化镓功率器件(AlGaN/GaN MOS-HEMTs)研究领域取得创新结果，并在Nature出版集团旗下的《Scientific Reports》(IF:5.578)上发表了题为《AlGaN/GaN Metal-OxideSemiconductor High-ElectronMobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating》的文章（DOi: 10.1038/srep14092）。苹果版bd
是第一单位，刘新科为第一作者，苹果版bd
吕有明教授和陈少军副教授为通信作者。
论文内容包含AlGaN/GaN MOS-HEMTs功率器件，高分子铁电材料Polarized P(VDF-TrFE),以及材料表征和功率器件模拟，是一篇跨学科的工作。通过采用极化的高分子铁电材料Polarized P(VDF-TrFE)来改变器件的导通电阻或寄生电阻，可以降低器件的静态功耗。AlGaN/GaN MOS-HEMTs是第三代半导体电力电子器件的典型代表，将来可用于电力电子市场，较低的导通电阻可以有效降低在电力转化系统(DC/DC, DC/AC,AC/AC)的功耗。
该研究得到了国家自然科学基金项目等资助。
Scientific Reports 是来自 Nature 杂志集团出版的一个发表原始研究工作的刊物，在线出版，公开访问，内容涉及自然科学所有领域。
（刘新科博士和吕有明教授联合招收博士后和硕士研究生 xkliu@szu.edu.cn ，http://cmse.szu.edu.cn) 。
